Infineon Technologies AG berhasil memproses wafer silikon karbida (SiC) berukuran 300 milimeter menjadi perangkat daya fungsional di fasilitas pabrik mereka di Villach, Austria. Perusahaan ini menjadi yang pertama memelopori pencapaian inovasi tersebut di lingkungan pabrik semikonduktor skala penuh.
Terobosan Manufaktur Semikonduktor
Pencapaian awal dalam memproduksi perangkat daya fungsional ini terwujud dengan memanfaatkan peralatan manufaktur silikon yang sudah ada. Produksi cip pada wafer berukuran 300 milimeter dinilai lebih maju secara teknologi dan jauh lebih efisien dibandingkan wafer 200 milimeter karena diameter yang lebih besar menghasilkan cip 2,3 kali lebih banyak per wafer.
CEO Infineon Technologies, Jochen Hanebeck, menyatakan bahwa pencapaian tersebut semakin memperkuat kepemimpinan perusahaan dalam sistem daya. Ia menyampaikan apresiasi kepada tim yang telah berproses membawa SiC 300 milimeter keluar dari laboratorium menuju lingkungan manufaktur.
“Kepemimpinan dalam semikonduktor daya berarti terus mendorong teknologi ke tingkat berikutnya,” ujar Jochen Hanebeck.
Inovasi ini membuka potensi industrialisasi penuh SiC pada wafer 300 milimeter di masa depan. Perusahaan berencana merancang teknologi SiC 300 milimeter beserta jadwal produksinya bekerja sama dengan para pelanggan dan mitra, sembari terus menjalankan peta jalan manufaktur SiC 200 milimeter.
Aplikasi dan Teknologi Cold Split
SiC merupakan bahan semikonduktor utama untuk konversi daya yang sangat efisien, dengan karakteristik material yang memungkinkan kerugian daya lebih rendah serta kepadatan daya tinggi pada voltase dan suhu tinggi. Permintaan terhadap material ini juga terus meningkat di pusat data kecerdasan buatan, inverter traksi, pengisi daya kendaraan listrik, penyimpanan energi skala besar, hingga penggerak industri.
Secara bersamaan, perusahaan juga telah membuktikan kelayakan teknologi Cold Split menggunakan SiC 300 milimeter di lokasi mereka di Dresden, Jerman. Teknologi tersebut memisahkan wafer dari balok SiC dengan sedikit kehilangan material dan waktu pemrosesan yang jauh lebih singkat dibandingkan pemotongan kawat konvensional.
Infineon memproduksi semikonduktor yang berbasis pada tiga bahan relevan yaitu silikon, silikon karbida, dan galium nitrida. Sebelumnya pada 27 Oktober 2026, perusahaan mengumumkan investasi sekitar 1,1 miliar euro untuk fasilitas manufaktur volume tinggi semikonduktor daya galium nitrida pada wafer 300 milimeter di Villach.
Infineon akan memamerkan wafer SiC 300 milimeter pertama yang telah diproses tersebut kepada publik di pameran dagang electronica yang berlangsung di Munich, Jerman, mulai 10 hingga 13 November 2026.
Sumber: Hacker News: Front Page
